Πόσα ηλεκτρόνια χρειάζονται τελικά για να αποθηκευτεί ένα bit πληροφορίας; Αν κοιτάξουμε τα προηγμένα τσιπ μνήμης DRAM της Samsung και της SK Hynix, η απάντηση είναι περίπου 200.000. Αυτό το τεράστιο φορτίο είναι απαραίτητο για να διατηρηθεί η σταθερότητα και να μην χαθεί το «1» ή το «0» μέσα στον θόρυβο. Ωστόσο, μια ομάδα επιστημόνων από το Πανεπιστήμιο Fudan στη Σαγκάη πέτυχε κάτι που θεωρούνταν αδύνατο: έριξε αυτόν τον αριθμό στο θεωρητικό του όριο, δηλαδή στο ένα.

Σε δημοσίευση που έγινε στις 16 Ιουλίου στο επιστημονικό περιοδικό Science, ο καθηγητής μικροηλεκτρονικής Zhou Peng και οι συνεργάτες του παρουσίασαν μια μνήμη flash δύο διαστάσεων που μπορεί να παγιδεύει και να διαβάζει ένα μοναδικό ηλεκτρόνιο σε θερμοκρασία δωματίου. Η συσκευή, την οποία ονόμασαν Guiyi, καταφέρνει να ενισχύσει ένα εξαιρετικά αδύναμο σήμα, προσφέροντας μια βελτίωση δέκα φορών σε σχέση με προηγούμενες προσπάθειες.

Για τον μέσο χρήστη, αυτό σημαίνει ότι σύντομα θα μπορούμε να «τρέχουμε» μεγάλα γλωσσικά μοντέλα τεχνητής νοημοσύνης απευθείας στο κινητό μας, χωρίς να εξαντλούμε την μπαταρία και χωρίς η τεχνητή νοημοσύνη να «ξεχνάει» τα λεγόμενά μας. Η ομάδα χρησιμοποίησε γραφένιο για να τροποποιήσει τη δομή του τσιπ, δημιουργώντας ένα «τείχος» από το οποίο τα ηλεκτρόνια δεν μπορούν να διαφύγουν, ενώ ταυτόχρονα ενισχύεται το σήμα τους.

Το όνομα Guiyi προέρχεται από μια κινεζική βουδιστική φράση που σημαίνει «επιστροφή στο ένα», υποδηλώνοντας τη συγκέντρωση ταχύτητας, σταθερότητας και αποδοτικότητας σε έναν μόνο σχεδιασμό. Ο Zhou Peng σχεδιάζει να ιδρύσει εταιρεία μέσα στο δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους, με στόχο την εμπορική αξιοποίηση της τεχνολογίας σε βάθος τριών έως πέντε ετών, φιλοδοξώντας να ανατρέψει τα δεδομένα στην αγορά που κυριαρχείται σήμερα από κολοσσούς όπως η Samsung και η SK Hynix.